SIZF680LDT-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.7 EUR |
| 1000+ | 3.51 EUR |
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Technische Details SIZF680LDT-T1-GE3 VISHAY
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Weitere Produktangebote SIZF680LDT-T1-GE3 nach Preis ab 3.51 EUR bis 7.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIZF680LDT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 72A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIZF680LDT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
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Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZF680LDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 80 V, 72 A, 5500 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
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Bauform - Transistor: PowerPAIR 6 x 5FS
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 62.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 33+ | 7.62 EUR |
| 43+ | 5.47 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.7 EUR |
| 1000+ | 3.51 EUR |