Produkte > VISHAY > SIZF906BDT-T1-GE3
SIZF906BDT-T1-GE3

SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay


sizf906bdt.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
149+1.05 EUR
150+ 0.97 EUR
156+ 0.9 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 149
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 257A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung, p-Kanal: 83W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote SIZF906BDT-T1-GE3 nach Preis ab 0.75 EUR bis 3.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 Hersteller : Vishay sizf906bdt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
146+1.08 EUR
149+ 1.01 EUR
150+ 0.93 EUR
156+ 0.86 EUR
250+ 0.82 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 146
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sizf906bdt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+1.41 EUR
6000+ 1.36 EUR
9000+ 1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sizf906bdt.pdf MOSFET DUAL N-CH 30-V (D-S) W/SCHOTT
auf Bestellung 23778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.92 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 1.99 EUR
250+ 1.92 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.46 EUR
3000+ 1.43 EUR
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sizf906bdt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
auf Bestellung 28356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.12 EUR
10+ 2.6 EUR
100+ 2.07 EUR
500+ 1.75 EUR
1000+ 1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3183557.pdf Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)