| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 149+ | 1.18 EUR |
| 150+ | 1.13 EUR |
| 156+ | 1.07 EUR |
| 250+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
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Technische Details SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 257A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung, p-Kanal: 83W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIZF906BDT-T1-GE3 nach Preis ab 0.84 EUR bis 4.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R |
auf Bestellung 2010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V |
auf Bestellung 23256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIZF906BDT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 257A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung, p-Kanal: 83W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIZF906BDT-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 36A/63A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.21 EUR |
| 149+ | 1.14 EUR |
| 150+ | 1.05 EUR |
| 156+ | 0.96 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| SIZF906BDT-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V
auf Bestellung 23256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.49 EUR |
| 10+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| 3000+ | 1.59 EUR |
| SIZF906BDT-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIZF906BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 257 A, 257 A, 0.00045 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 257A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 450µohm
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung, p-Kanal: 83W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 450µohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 83W
Betriebswiderstand, Rds(on): 450µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)