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Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.99 EUR |
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Technische Details SIZF906DDT-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIZF906DDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 257 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR F, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 83W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIZF906DDT-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIZF906DDT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIZF906DDT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 257A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR F Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV SkyFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 83W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |