SIZF928DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.08 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIZF928DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 248A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 74W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAIR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 74W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIZF928DT-T1-GE3 nach Preis ab 1.16 EUR bis 3.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIZF928DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PWRPR N CHAN 30V |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SIZF928DT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active |
auf Bestellung 6064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SIZF928DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 74W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 74W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 11994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
SIZF928DT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm Verlustleistung, p-Kanal: 74W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 74W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 11994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |