Technische Details SKM100GAL123D
- IGBT Module
- Transistor Type:IGBT
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Collector Current, Ic:100A
- Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):3V
- Package/Case:D62
- Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:1200V
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SKM100GAL123D | Hersteller : Semikron |
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