SKM100GAL12T4 SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Case: SEMITRANS2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 123A
Pulsed collector current: 550A
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: boost chopper
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 70.64 EUR |
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Technische Details SKM100GAL12T4 SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 160A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SKM100GAL12T4 nach Preis ab 70.64 EUR bis 92.40 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SKM100GAL12T4 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Case: SEMITRANS2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 123A Pulsed collector current: 550A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: boost chopper |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKM100GAL12T4 | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 5-Pin |
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SKM100GAL12T4 | Hersteller : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SKM100GAL12T4 | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 5-Pin |
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