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Technische Details SKM100GAL12T4 Semikron
Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 160A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SKM100GAL12T4 nach Preis ab 70.53 EUR bis 97.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SKM100GAL12T4 | Hersteller : SEMIKRON |
 Description: SEMIKRON - SKM100GAL12T4 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
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| SKM100GAL12T4 | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS | SKM100GAL12T4 IGBT modules |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SKM100GAL12T4 | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 5-Pin |
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