SKM150GB12T4G SEMIKRON
Hersteller: SEMIKRONDescription: SEMIKRON - SKM150GB12T4G - IGBT-Modul, Halbbrücke, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 223A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 223A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Technische Details SKM150GB12T4G SEMIKRON
Description: SEMIKRON - SKM150GB12T4G - IGBT-Modul, Halbbrücke, 223 A, 1.85 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 Fast [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 223A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 223A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SKM150GB12T4G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SKM150GB12T4G | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 223A 7-Pin |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SKM150GB12T4G | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 172A Case: SEMITRANS3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 172A Pulsed collector current: 450A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Version: D56 Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SKM150GB12T4G | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 172A Case: SEMITRANS3 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 172A Pulsed collector current: 450A Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Version: D56 Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |