SKM195GB066D SEMIKRON DANFOSS
Hersteller: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Version: D61
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 1.4kA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: SEMITRANS2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 140.73 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SKM195GB066D SEMIKRON DANFOSS
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Dauerkollektorstrom: 265A, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 265A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote SKM195GB066D nach Preis ab 140.73 EUR bis 140.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SKM195GB066D | Hersteller : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Version: D61 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 1.4kA Max. off-state voltage: 0.6kV Case: SEMITRANS2 |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
SKM195GB066D | Hersteller : SEMIKRON |
Description: SEMIKRON - SKM195GB066D - IGBT-Modul, Halbbrücke, 265 A, 1.45 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 265A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 265A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
 |
SKM195GB066D | Hersteller : Semikron |
Trans IGBT Module N-CH 600V 265A 7-Pin Case D-61 |
Produkt ist nicht verfügbar |