SMA5106 Sanken Electric Company, Ltd.
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| Anzahl | Preis |
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| 49+ | 3.05 EUR |
| 53+ | 2.71 EUR |
| 100+ | 2.54 EUR |
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Technische Details SMA5106 Sanken Electric Company, Ltd.
Description: MOSFET 4N-CH 100V 4A 12SIP, Packaging: Tube, Package / Case: 12-SIP, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: 4 NPN Darlington (Quad), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 4W (Ta), 28W (Tc), Current - Collector (Ic) (Max): 5A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V, Supplier Device Package: 12-SIP, Part Status: Active, Configuration: 4 N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA.
Weitere Produktangebote SMA5106 nach Preis ab 4.19 EUR bis 4.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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SMA5106 | Hersteller : Sanken Electric Company, Ltd. |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4A 12-Pin SIP |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMA5106 | Hersteller : SANKEN |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SMA5106 | Hersteller : SANKEN |
03+ ZIP |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SMA5106 | Hersteller : SANKEN |
09+ SSOP |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SMA5106 | Hersteller : SANKEN |
2006 |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SMA5106 | Hersteller : Sanken Electric Co. |
Trans MOSFET N-CH 100V 4A 12-Pin SIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SMA5106 | Hersteller : Sanken Electric USA Inc. |
Description: MOSFET 4N-CH 100V 4A 12SIP Packaging: Tube Package / Case: 12-SIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 4 NPN Darlington (Quad) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 4W (Ta), 28W (Tc) Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: 12-SIP Part Status: Active Configuration: 4 N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA |
Produkt ist nicht verfügbar |