SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SMBT2907AE6327HTSA1 nach Preis ab 0.036 EUR bis 0.3 EUR
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon |
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Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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| SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
SMBT2907AE6327 PNP SMD transistors |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW |
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SMBT2907AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW |
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