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SMBT2907AE6327HTSA1

SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

SMBT2907AE6327.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
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Technische Details SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_SMBT2907A_DS_v01_01_en.pdf Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A
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10+0.52 EUR
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SMBT2907AE6327HTSA1 SMBT2907AE6327HTSA1 INFINEON INFNS27672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
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Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
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Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 60V 0.6A
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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SMBT2907AE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2907AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
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Übergangsfrequenz: 200MHz
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Hersteller: Infineon
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