SMMA511DJ-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SMMA511DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033, Verlustleistung Pd: 6.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400, Verlustleistung, p-Kanal: 6.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).