
SMMBFJ309LT1G onsemi

Description: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details SMMBFJ309LT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA, Type of transistor: N-JFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 30mA, Power dissipation: 0.225W, Case: SOT23, Gate-source voltage: -25V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate current: 10mA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SMMBFJ309LT1G nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.89 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SMMBFJ309LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 31367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMMBFJ309LT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 33495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMMBFJ309LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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SMMBFJ309LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SMMBFJ309LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
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