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SMMBT2222ALT1G

SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor

mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3116 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2096800 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
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3059+0.057 EUR
9000+0.054 EUR
27000+0.05 EUR
51000+0.048 EUR
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3068+0.057 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
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3068+0.057 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.051 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
auf Bestellung 6667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G onsemi mmbt2222lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ONSEMI mmbt2222lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+0.6 EUR
720+0.32 EUR
1177+0.18 EUR
1659+0.13 EUR
1873+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ONSEMI ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+0.6 EUR
720+0.32 EUR
1177+0.18 EUR
1659+0.13 EUR
1873+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
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SMMBT2222ALT1G SMMBT2222ALT1G ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 62 Stücke:
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SMMBT2222ALT1G ONN mmbt2222lt1-d.pdf
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SMMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3116+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3116 Stücke
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SMMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2096800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
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SMMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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9000+0.054 EUR
27000+0.05 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
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6000+0.055 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.04 EUR
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Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3068+0.057 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.051 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
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SMMBT2222ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.068 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBT2222ALT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
auf Bestellung 6667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.38 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SMMBT2222ALT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
422+0.6 EUR
720+0.32 EUR
1177+0.18 EUR
1659+0.13 EUR
1873+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1G ONSM-S-A0013298780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMMBT2222ALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
422+0.6 EUR
720+0.32 EUR
1177+0.18 EUR
1659+0.13 EUR
1873+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 422 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
SMMBT2222ALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1G mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH