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SMMBT5551LT1G

SMMBT5551LT1G ON Semiconductor


mmbt5550lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SMMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 1230000 Stücke:
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9458+0.05 EUR
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2263+0.07 EUR
3096+0.05 EUR
3585+0.04 EUR
4348+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2263
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1887+0.08 EUR
1905+0.08 EUR
1924+0.07 EUR
1942+0.07 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.06 EUR
15000+0.06 EUR
30000+0.06 EUR
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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1216+0.12 EUR
1849+0.08 EUR
1870+0.07 EUR
1887+0.07 EUR
1905+0.07 EUR
1924+0.06 EUR
1942+0.06 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 1216
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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885+0.17 EUR
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1525+0.09 EUR
2213+0.06 EUR
2263+0.06 EUR
3096+0.04 EUR
3585+0.03 EUR
4348+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 885
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
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13+0.22 EUR
21+0.14 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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542+0.27 EUR
923+0.15 EUR
1341+0.10 EUR
1849+0.07 EUR
2142+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 542
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0010604742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15594 Stücke:
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0010604742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 15594 Stücke:
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
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SMMBT5551LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBT5551LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
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