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SMMBT5551LT1G ON Semiconductor


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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SMMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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3345+0.052 EUR
3473+0.05 EUR
3522+0.048 EUR
3585+0.046 EUR
3650+0.045 EUR
6000+0.043 EUR
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30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3345 Stücke
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6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2817 Stücke
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9000+0.054 EUR
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21000+0.044 EUR
30000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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1354+0.13 EUR
2067+0.082 EUR
2326+0.07 EUR
3345+0.046 EUR
3473+0.043 EUR
3522+0.04 EUR
3585+0.038 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1354 Stücke
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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1099+0.15 EUR
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1891+0.087 EUR
2718+0.058 EUR
2817+0.054 EUR
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
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85+0.25 EUR
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500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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SMMBT5551LT1G SMMBT5551LT1G ONSEMI ONSM-S-A0010604742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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428+0.58 EUR
736+0.32 EUR
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1556+0.14 EUR
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SMMBT5551LT1G ONN mmbt5550lt1-d.pdf
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AnzahlPrivatkunde
3345+0.052 EUR
3473+0.05 EUR
3522+0.048 EUR
3585+0.046 EUR
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6000+0.043 EUR
15000+0.042 EUR
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9000+0.051 EUR
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51000+0.045 EUR
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3522+0.04 EUR
3585+0.038 EUR
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Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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1099+0.15 EUR
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2817+0.054 EUR
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Mindestbestellmenge: 1099 Stücke
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Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
960+0.18 EUR
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Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
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9+0.39 EUR
14+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 1220 Stücke:
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53+0.39 EUR
85+0.25 EUR
137+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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428+0.58 EUR
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1129+0.19 EUR
1556+0.14 EUR
1770+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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