SMMBT5551LT1G ON Semiconductor
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Technische Details SMMBT5551LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SMMBT5551LT1G nach Preis ab 0.066 EUR bis 1.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 31129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 35042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR |
auf Bestellung 11511 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 18256 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 24570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 25140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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