SMMBTA56LT1G ON Semiconductor
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| 3572+ | 0.04 EUR |
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Technische Details SMMBTA56LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SMMBTA56LT1G nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR |
auf Bestellung 13861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 20365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBTA56LT1G | Hersteller : ONSEMI |
SMMBTA56LT1G PNP SMD transistors |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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SMMBTA56LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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