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SMMBTA56LT1G

SMMBTA56LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SMMBTA56LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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auf Bestellung 537000 Stücke:
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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3000+0.081 EUR
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15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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6000+0.07 EUR
9000+0.048 EUR
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21000+0.045 EUR
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1064+0.21 EUR
1887+0.11 EUR
1961+0.11 EUR
2041+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1064+0.21 EUR
1887+0.11 EUR
1961+0.11 EUR
2041+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
253+0.33 EUR
298+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
110+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SMMBTA56LT1G SMMBTA56LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 20487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
30000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 537000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3106+0.056 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3106 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.058 EUR
12000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8903+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8903 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8903+0.074 EUR
10000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 8903 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.081 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.082 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.048 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.098 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
654+0.38 EUR
1064+0.21 EUR
1887+0.11 EUR
1961+0.11 EUR
2041+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
654+0.38 EUR
1064+0.21 EUR
1887+0.11 EUR
1961+0.11 EUR
2041+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SMMBTA56LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
193+0.44 EUR
253+0.33 EUR
298+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
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SMMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
SMMBTA56LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
110+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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SMMBTA56LT1G mmbta55lt1-d.pdf
SMMBTA56LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS DR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 20487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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