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SMUN2216T1G

SMUN2216T1G ON Semiconductor

mun2211t1-biasresistortransistors.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
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Technische Details SMUN2216T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.

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SMUN2216T1G SMUN2216T1G Hersteller : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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SMUN2216T1G SMUN2216T1G Hersteller : ON Semiconductor mun2211t1-biasresistortransistors.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
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SMUN2216T1G SMUN2216T1G Hersteller : onsemi DTC143T_D-2310749.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC59 BR XSTR NPN 50V
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SMUN2216T1G SMUN2216T1G Hersteller : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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SMUN2216T1G Hersteller : ONSEMI dtc143t-d.pdf SMUN2216T1G NPN SMD transistors
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