SMUN5111T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.06 EUR |
| 6000+ | 0.06 EUR |
| 9000+ | 0.05 EUR |
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Technische Details SMUN5111T1G onsemi
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote SMUN5111T1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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SMUN5111T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 28300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMUN5111T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 14662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMUN5111T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 28300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMUN5111T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SRFC MNT BIAS RESTR TRANS |
auf Bestellung 10711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SMUN5111T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 14210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMUN5111T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 14210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMUN5111T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SMUN5111T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SMUN5111T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SMUN5111T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 10kΩ |
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