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SMUN5235T1G

SMUN5235T1G onsemi

dtc123j-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details SMUN5235T1G onsemi

Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SMUN5235T1G SMUN5235T1G Hersteller : ONSEMI dtc123j-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
700+0.1 EUR
930+ 0.077 EUR
1050+ 0.068 EUR
1250+ 0.057 EUR
1320+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 700
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Hersteller : ONSEMI dtc123j-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
700+0.1 EUR
930+ 0.077 EUR
1050+ 0.068 EUR
1250+ 0.057 EUR
1320+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 700
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Hersteller : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 12170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.33 EUR
76+ 0.23 EUR
155+ 0.11 EUR
500+ 0.095 EUR
1000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 53
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Hersteller : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 7740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMUN5235T1G SMUN5235T1G Hersteller : ONSEMI 2353819.pdf Description: ONSEMI - SMUN5235T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
auf Bestellung 7740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SMUN5235T1G Hersteller : onsemi DTC123J_D-2310909.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
auf Bestellung 9053 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
108+0.48 EUR
159+ 0.33 EUR
385+ 0.14 EUR
1000+ 0.094 EUR
3000+ 0.078 EUR
9000+ 0.073 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 108
SMUN5235T1G Hersteller : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)