SMUN5314DW1T1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 0.55 EUR |
| 63+ | 0.33 EUR |
| 101+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details SMUN5314DW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 385mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Weitere Produktangebote SMUN5314DW1T1G nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SMUN5314DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 34695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMUN5314DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
auf Bestellung 34695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMUN5314DW1T1G | ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Application: automotive industry Type of transistor: NPN / PNP Current gain: 80...140 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SC70-6; SC88; SOT363 Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.25W |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SMUN5314DW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 34695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 412+ | 0.61 EUR |
| 672+ | 0.35 EUR |
| 1067+ | 0.2 EUR |
| 1458+ | 0.14 EUR |
| 1645+ | 0.13 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| SMUN5314DW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: ONSEMI - SMUN5314DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 385mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 34695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.61 EUR |
| 672+ | 0.35 EUR |
| 1067+ | 0.2 EUR |
| 1458+ | 0.14 EUR |
| 1645+ | 0.13 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| SMUN5314DW1T1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 80...140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 80...140
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.25W
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)