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SN7002IXTSA1

SN7002IXTSA1 Infineon Technologies

infineon-sn7002i-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SN7002IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 Infineon Technologies infineon-sn7002i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 Infineon Technologies infineon-sn7002i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 Infineon Technologies infineon-sn7002i-datasheet-en.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 Infineon Technologies infineon-sn7002i-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5940 Stücke:
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1520+0.12 EUR
1667+0.1 EUR
1942+0.087 EUR
2050+0.081 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 1520 Stücke
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SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_SN7002I_DataSheet_v02_02_EN-3363844.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 11427 Stücke:
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9+0.39 EUR
13+0.26 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.074 EUR
24000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 Infineon Technologies infineon-sn7002i-datasheet-en.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 6996 Stücke:
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50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
170+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 INFINEON infineon-sn7002i-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2950 Stücke:
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435+0.57 EUR
720+0.32 EUR
1534+0.14 EUR
1580+0.13 EUR
1832+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 INFINEON 3208416.pdf Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.57 EUR
730+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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SN7002IXTSA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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SN7002IXTSA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.073 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.056 EUR
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SN7002IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.071 EUR
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SN7002IXTSA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5940 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1520+0.12 EUR
1667+0.1 EUR
1942+0.087 EUR
2050+0.081 EUR
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SN7002IXTSA1
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MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 11427 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
9+0.39 EUR
13+0.26 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.074 EUR
24000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SN7002IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 6996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.42 EUR
80+0.26 EUR
170+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
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SN7002IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2950 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
435+0.57 EUR
720+0.32 EUR
1534+0.14 EUR
1580+0.13 EUR
1832+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SN7002IXTSA1 3208416.pdf
SN7002IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.57 EUR
730+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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