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Technische Details SNSS20101JT1G onsemi
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 350MHz, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote SNSS20101JT1G nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SNSS20101JT1G | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT) |
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| SNSS20101JT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
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