Produkte > ONSEMI > SNSS20101JT1G
SNSS20101JT1G

SNSS20101JT1G onsemi


NSS20101JT1G-SNSS20101JT1G.PDF Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 2997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.06 EUR
27+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SNSS20101JT1G onsemi

Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 350MHz, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 225 mW.

Weitere Produktangebote SNSS20101JT1G nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SNSS20101JT1G Hersteller : onsemi NSS20101J_D-2318513.pdf Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.8 EUR
10+0.62 EUR
100+0.34 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.19 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SNSS20101JT1G SNSS20101JT1G Hersteller : onsemi NSS20101JT1G-SNSS20101JT1G.PDF Description: TRANS NPN 20V 1A SC-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH