SP8K1FRATB ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET - SP8K1FRA is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching. It is a highly reliable product for automotive.
MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET - SP8K1FRA is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching. It is a highly reliable product for automotive.
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.22 EUR |
10+ | 1.99 EUR |
100+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.01 EUR |
2500+ | 0.97 EUR |
5000+ | 0.95 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SP8K1FRATB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SP8K1FRATB
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
SP8K1FRATB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SP8K1FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1 |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
||
SP8K1FRATB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SP8K1FRATB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SP8K1FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor | Description: 30V NCH+NCH POWER MOSFET - SP8K1 |
Produkt ist nicht verfügbar |