SP8K2HZGTB Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SP8K2HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SP8K2HZGTB nach Preis ab 0.82 EUR bis 4.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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SP8K2HZGTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
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SP8K2HZGTB | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET AECQ |
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SP8K2HZGTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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SP8K2HZGTB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SP8K2HZGTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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