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Technische Details SP8K2HZGTB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOP, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 6, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SP8K2HZGTB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SP8K2HZGTB | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - SP8K2HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOP, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 6 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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