SP8K31HZGTB

SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor


datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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Technische Details SP8K31HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8K31HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SP8K31HZGTB nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Hersteller : Rohm Semiconductor sp8k31hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Hersteller : Rohm Semiconductor sp8k31hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
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SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 4880 Stücke:
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6+3.41 EUR
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1000+1.08 EUR
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SP8K31HZGTB SP8K31HZGTB Hersteller : ROHM datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8K31HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SP8K31HZGTB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8K31HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SP8K31HZGTB Multi channel transistors
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