SP8K32HZGTB

SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor


sp8k32hzgtb-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SP8K32HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Hersteller : Rohm Semiconductor sp8k32hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
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SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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41+1.77 EUR
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SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 18A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
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SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
auf Bestellung 2114 Stücke:
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Anzahl Preis
5+3.78 EUR
10+2.43 EUR
100+1.66 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Hersteller : ROHM sp8k32hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8K32HZGTB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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SP8K32HZGTB SP8K32HZGTB Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8K32HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
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