SP8K33FRATB ROHM Semiconductor
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| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
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Technische Details SP8K33FRATB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - SP8K33FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.034 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SP8K33FRATB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SP8K33FRATB | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - SP8K33FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.034 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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SP8K33FRATB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - SP8K33FRATB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.034 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SP8K33FRATB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
SP8K33FRATB Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SP8K33FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SP8K33FRATB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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