SP8M10FRATB

SP8M10FRATB Rohm Semiconductor


datasheet?p=SP8M10FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 998 Stücke:

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Technische Details SP8M10FRATB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8M10FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SP8M10FRATB SP8M10FRATB Hersteller : ROHM datasheet?p=SP8M10FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8M10FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SP8M10FRATB SP8M10FRATB Hersteller : ROHM datasheet?p=SP8M10FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - SP8M10FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SP8M10FRATB SP8M10FRATB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8M10FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/-4.5A; Idm: 18÷28A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-4.5A
Pulsed drain current: 18...28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37/90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4/8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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SP8M10FRATB SP8M10FRATB Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M10FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SP8M10FRATB SP8M10FRATB Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M10FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs 4V Drive Nch+Pch MOSFET (AEC-Q101 Qualified)
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SP8M10FRATB SP8M10FRATB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SP8M10FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/-4.5A; Idm: 18÷28A; 2W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-4.5A
Pulsed drain current: 18...28A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37/90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4/8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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