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SP8M24HZGTB

SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor

sp8m24hzgtb-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1446 Stücke:
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Technische Details SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote SP8M24HZGTB nach Preis ab 1.34 EUR bis 4.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SP8M24HZGTB SP8M24HZGTB ROHM sp8m24hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2515 Stücke:
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100+3.11 EUR
101+2.13 EUR
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SP8M24HZGTB SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor sp8m24hzgtb-e.pdf Trans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2320 Stücke:
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64+3.89 EUR
100+2.65 EUR
200+2.4 EUR
500+1.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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SP8M24HZGTB SP8M24HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=SP8M24HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A
auf Bestellung 4285 Stücke:
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1+4.06 EUR
10+2.78 EUR
25+2.64 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.44 EUR
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SP8M24HZGTB SP8M24HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=SP8M24HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V, 1700pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Power - Max: 1.4W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SP8M24HZGTB SP8M24HZGTB ROHM sp8m24hzgtb-e.pdf Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2515 Stücke:
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52+4.9 EUR
75+3.11 EUR
101+2.13 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SP8M24HZGTB sp8m24hzgtb-e.pdf
SP8M24HZGTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 2W
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SP8M24HZGTB sp8m24hzgtb-e.pdf
SP8M24HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+2.65 EUR
200+2.4 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
2000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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MOSFETs SOP8 NPCH 45V 4.5A
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AnzahlPrivatkunde
1+4.06 EUR
10+2.78 EUR
25+2.64 EUR
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500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
2500+1.44 EUR
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SP8M24HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 45V 4.5A 8SOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V, 18.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1057 Stücke:
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5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SP8M24HZGTB sp8m24hzgtb-e.pdf
SP8M24HZGTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M24HZGTB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 45 V, 45 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.063ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2515 Stücke:
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75+3.11 EUR
101+2.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH