Technische Details SP8M3HZGTB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SP8M3HZGTB nach Preis ab 1.01 EUR bis 4.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SP8M3HZGTB | ROHM |
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SP8M3HZGTB | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SP8M3HZGTB | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
auf Bestellung 1704 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SP8M3HZGTB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SP8M3HZGTB | ROHM |
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SP8M3HZGTB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 141+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| SP8M3HZGTB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.77 EUR |
| 89+ | 1.95 EUR |
| 124+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| SP8M3HZGTB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
auf Bestellung 1704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| SP8M3HZGTB |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.06 EUR |
| 10+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.29 EUR |
| 2500+ | 1.18 EUR |
| SP8M3HZGTB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - SP8M3HZGTB - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.036 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.036ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.036ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 4.12 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 141+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |



