SP8M4FRATB ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SP8M4FRATB - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012, Anzahl der Pins: 8, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOP, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, Verlustleistung, p-Kanal: 2, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012, Dauer-Drainstrom Id: 9, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).