SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
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16+ | 3.46 EUR |
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500+ | 2.33 EUR |
1000+ | 2 EUR |
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Technische Details SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 4, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 38, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SPA04N80C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 euEccn: NLR Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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SPA04N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA04N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPA04N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V |
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