SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 5.3 EUR |
| 50+ | 4.19 EUR |
| 100+ | 3.59 EUR |
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Technische Details SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SPA11N60C3XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPA11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 366 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N60C3XKSA1 Produktcode: 200839 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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| SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 33W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
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| SPA11N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 33W Case: PG-TO220 FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
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