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Technische Details SPA11N80C3
- MOSFET, N, COOLMOS, TO-220FP
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:800V
- Cont Current Id:11A
- On State Resistance:0.45ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:TO-220FP
- Termination Type:Through Hole
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Cont Current Id @ 25`C:11A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Power Dissipation Ptot:41W
- Max Voltage Vds:800V
- Max Voltage Vgs th:3.9V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:41W
- Power Dissipation Pd:41W
- Pulse Current Idm:33A
- Voltage Vds:800V
- Transistor Case Style:TO-220FP
Weitere Produktangebote SPA11N80C3 nach Preis ab 1.29 EUR bis 10.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA11N80C3 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 34W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 34W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N80C3 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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SPA11N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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B57861S0103F040 Produktcode: 44726
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Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC термістор, 10 KOhm, 3988K 1%, B = 0.3%, Pmax. = 60mW
Nennwert: 10 kOhm
Застосування: Вимірювальні
Тип: NTC
Beschreibung: NTC термістор, 10 KOhm, 3988K 1%, B = 0.3%, Pmax. = 60mW
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Застосування: Вимірювальні
Тип: NTC
auf Bestellung 570 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TOP222GN-TL Produktcode: 43493
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8542 39 90 00
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IRF840ASPBF (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 43368
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SPB17N80C3 Produktcode: 37324
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 800
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 800
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
JHGF: SMD
auf Bestellung 14 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TOP242PN Produktcode: 32976
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Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: 85...265V
Spannung, eing., V: 9 V
I-ausg., A: 0,72 A
Fosc, kHz: 132 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: 85...265V
Spannung, eing., V: 9 V
I-ausg., A: 0,72 A
Fosc, kHz: 132 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
30 Stück
30 Stück - erwartet 31.08.2025
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.68 EUR |