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SPB17N80C3ATMA1

SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies

infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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46+3.67 EUR
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 INFINEON INFNS16608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en.pdf MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
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500+3.92 EUR
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 INFINEON INFNS16608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
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25+10.22 EUR
36+6.54 EUR
50+5.78 EUR
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineonspb17n80c3dsv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB17N80C3ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+3.65 EUR
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SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.58 EUR
46+3.75 EUR
59+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.58 EUR
46+3.67 EUR
59+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+5.78 EUR
200+4.66 EUR
500+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1 Infineon_SPB17N80C3_DS_v02_05_en.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.29 EUR
10+6.18 EUR
100+4.63 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.37 EUR
5000+3.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB17N80C3ATMA1 SPB17N80C3_rev2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cc63d479f&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_SPB17N80C3_rev2.3.pdf
SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
auf Bestellung 7951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.34 EUR
10+6.19 EUR
100+4.4 EUR
500+3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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SPB17N80C3ATMA1 INFNS16608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.22 EUR
36+6.54 EUR
50+5.78 EUR
200+4.66 EUR
500+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SPB17N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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