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SPB18P06PGATMA1

SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85044090, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 81.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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245+0.71 EUR
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253+0.67 EUR
258+0.64 EUR
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPB18P06P_DS_v01_06_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
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2+3.31 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.06 EUR
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGATMA1 INFINEON INFNS19262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85044090
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
103+2.26 EUR
155+1.38 EUR
500+1.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
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Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
245+0.71 EUR
249+0.69 EUR
253+0.67 EUR
258+0.64 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
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SPB18P06PGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 875 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
241+0.73 EUR
245+0.69 EUR
249+0.65 EUR
253+0.62 EUR
258+0.58 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
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SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
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Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.95 EUR
2000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
518+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 518 Stücke
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SPB18P06PGATMA1 spb18p06p_v0.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a304412b407950112b42bd62a.pdffolderiddb3a304412b407950112b.pdf
SPB18P06PGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.36 EUR
177+0.98 EUR
200+0.93 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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SPB18P06PGATMA1 SPB18P06P_Rev1.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42bd62a460d
SPB18P06PGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SPB18P06PGATMA1 Infineon_SPB18P06P_DS_v01_06_en.pdf
SPB18P06PGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
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2+3.31 EUR
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SPB18P06PGATMA1 INFNS19262-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB18P06PGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85044090
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 2391 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
66+3.82 EUR
103+2.26 EUR
155+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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