SPB20N60S5

SPB20N60S5 Infineon Technologies


Infineon_SPB20N60S5_DS_v02_03_en-3360310.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5
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Technische Details SPB20N60S5 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Power dissipation: 208W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPB20N60S5 SPB20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CD214FC83874A&compId=SPB20N60S5.pdf?ci_sign=c10e80218ee233c1423c180589fd11a6a8f52b71 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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SPB20N60S5 SPB20N60S5 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CD214FC83874A&compId=SPB20N60S5.pdf?ci_sign=c10e80218ee233c1423c180589fd11a6a8f52b71 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
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On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
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