SPB20N60S5 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.78 EUR |
| 10+ | 5.39 EUR |
| 100+ | 4.36 EUR |
| 500+ | 3.89 EUR |
| 1000+ | 3.1 EUR |
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Technische Details SPB20N60S5 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13A, Power dissipation: 208W, Case: PG-TO263-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.19Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
Weitere Produktangebote SPB20N60S5
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SPB20N60S5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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SPB20N60S5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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