SPB21N50C3ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
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Technische Details SPB21N50C3ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote SPB21N50C3ATMA1 nach Preis ab 4.26 EUR bis 7.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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SPB21N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
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