SPB80P06PGATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.59 EUR |
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Technische Details SPB80P06PGATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPB80P06PGATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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SPB80P06PGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO263-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A Power dissipation: 340W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPB80P06PGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO263-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -80A
Power dissipation: 340W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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