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SPB80P06PGATMA1

SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

spp80p06p.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.77 EUR
51+3.39 EUR
500+3.31 EUR
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auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.19 EUR
35+4.89 EUR
37+4.43 EUR
100+3.22 EUR
250+3.07 EUR
500+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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auf Bestellung 701 Stücke:
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35+5 EUR
37+4.59 EUR
100+3.4 EUR
250+3.32 EUR
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SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 227 Stücke:
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25+7.02 EUR
35+4.91 EUR
36+4.53 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies spp80p06p.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.07 EUR
34+5.06 EUR
36+4.74 EUR
100+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408 Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 3261 Stücke:
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3+8.85 EUR
10+5.93 EUR
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SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 INFINEON INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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24+10.59 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
auf Bestellung 3000 Stücke:
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35+4.89 EUR
37+4.43 EUR
100+3.22 EUR
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500+2.18 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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35+5 EUR
37+4.59 EUR
100+3.4 EUR
250+3.32 EUR
500+2.43 EUR
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25+7.02 EUR
35+4.91 EUR
36+4.53 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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auf Bestellung 224 Stücke:
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34+5.06 EUR
36+4.74 EUR
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Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 3261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+8.85 EUR
10+5.93 EUR
100+4.2 EUR
500+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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