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SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 26276987-5
Price: 2660 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Technische Details SPB80P06PGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SPB80P06PGATMA1 nach Preis ab 1.85 EUR bis 7.44 EUR

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Beschreibung

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

SPB80P06P+G_Rev+1.6_.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42add964408

Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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SPB80P06PGATMA1

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SPB80P06PGATMA1

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SPB80P06PGATMA1

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Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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29+	5.26 EUR
35+	4.15 EUR
37+	3.76 EUR
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SPB80P06PGATMA1

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Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Anzahl	Preis
25+	5.97 EUR
35+	4.18 EUR
36+	3.85 EUR
100+	2.76 EUR

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

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Anzahl	Preis
25+	6.01 EUR
34+	4.20 EUR
36+	3.88 EUR
100+	2.78 EUR

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_SPB80P06PG_DS_v01_06_en-1732173.pdf

MOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2

auf Bestellung 900 Stücke:

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Anzahl	Preis
1+	6.93 EUR
10+	4.95 EUR
25+	4.79 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.75 EUR

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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3+	7.44 EUR
10+	4.98 EUR
100+	3.53 EUR
500+	2.90 EUR

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : INFINEON

INFNS17742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : INFINEON

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SPB80P06PGATMA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

SPB80P06PGATMA1 SMD P channel transistors

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23+	3.17 EUR
24+	3.00 EUR
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