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SPD02N80C3ATMA1

SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies

infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
5000+0.84 EUR
7500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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621+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 621 Stücke
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.2 EUR
150+1.15 EUR
178+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd02n80c3-datasheet-v02_94-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.42 EUR
147+1.15 EUR
150+1.09 EUR
178+0.89 EUR
250+0.82 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
132+1.76 EUR
183+1.17 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
auf Bestellung 11925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD02N80C3-DataSheet-v02_94-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 8402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.15 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
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SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 11607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
112+2.08 EUR
167+1.29 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.98 EUR
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Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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SPD02N80C3ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SPD02N80C3ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.2 EUR
150+1.15 EUR
178+0.95 EUR
250+0.9 EUR
500+0.61 EUR
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500+0.54 EUR
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SPD02N80C3ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
121+2.07 EUR
132+1.76 EUR
183+1.17 EUR
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SPD02N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
auf Bestellung 11925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.31 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD02N80C3ATMA1 Infineon-SPD02N80C3-DataSheet-v02_94-EN.pdf
SPD02N80C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 8402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.44 EUR
10+2.15 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1 EUR
2500+0.92 EUR
5000+0.88 EUR
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SPD02N80C3ATMA1 INFNS27718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD02N80C3ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD02N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 11607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.75 EUR
112+2.08 EUR
167+1.29 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.98 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH