SPD04P10PGBTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.52 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.66 EUR |
| 2500+ | 0.6 EUR |
| 5000+ | 0.55 EUR |
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Technische Details SPD04P10PGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote SPD04P10PGBTMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SPD04P10PGBTMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SPD04P10PGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPD04P10PGBTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SPD04P10PGBTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)