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SPD08N50C3ATMA1

fundamentals-of-power-semiconductors
Produktcode: 169599
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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130+1.31 EUR
131+1.27 EUR
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+1.31 EUR
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 241 Stücke:
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119+1.45 EUR
120+1.42 EUR
155+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 241 Stücke:
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103+1.68 EUR
119+1.4 EUR
120+1.33 EUR
155+1 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
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376+1.71 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 INFINEON INFNS27728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 1611 Stücke:
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100+2.92 EUR
101+2.13 EUR
250+2.09 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.05 EUR
100+2.09 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 38 Stücke:
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1+4.96 EUR
10+2.45 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.56 EUR
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SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 INFINEON 83321.pdf Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.65 EUR
69+3.39 EUR
101+2.13 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 Infineon fundamentals-of-power-semiconductors
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SPD08N50C3ATMA1 infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf
SPD08N50C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
130+1.31 EUR
131+1.27 EUR
500+1.24 EUR
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf
SPD08N50C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPD08N50C3ATMA1 infineon-spd08n50c3-datasheet-v02_07-en.pdf
SPD08N50C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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119+1.45 EUR
120+1.42 EUR
155+1.07 EUR
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Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
103+1.68 EUR
119+1.4 EUR
120+1.33 EUR
155+1 EUR
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Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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500+1.62 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
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100+2.92 EUR
101+2.13 EUR
250+2.09 EUR
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1000+1.54 EUR
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SPD08N50C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SPD08N50C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
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500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SPD08N50C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SPD08N50C3ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 38 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.45 EUR
100+2.2 EUR
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1000+1.74 EUR
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SPD08N50C3ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
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45+5.65 EUR
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