Weitere Produktangebote SPD08N50C3ATMA1 nach Preis ab 0.79 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
auf Bestellung 11616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm |
auf Bestellung 1729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 7.6A; 83W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SPD08N50C3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |