SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.13 EUR |
| 223+ | 0.79 EUR |
| 250+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SPD08P06PGBTMA1 nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPD08P06PGBTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPD08P06PGBTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 32778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPD08P06PGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.62 EUR |
| SPD08P06PGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.62 EUR |
| SPD08P06PGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 1.63 EUR |
| 156+ | 1.11 EUR |
| 157+ | 1.05 EUR |
| 223+ | 0.71 EUR |
| 250+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| SPD08P06PGBTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.28 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.7 EUR |
| 2500+ | 0.56 EUR |
| SPD08P06PGBTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 32778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 2.3 EUR |
| 162+ | 1.44 EUR |
| 241+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.69 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| 5000+ | 0.52 EUR |