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SPD08P06PGBTMA1

SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies

infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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357+0.49 EUR
365+0.46 EUR
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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319+0.54 EUR
322+0.51 EUR
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365+0.42 EUR
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd08p06pgdsv0192en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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218+0.81 EUR
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1000+0.68 EUR
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
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SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1 INFINEON Infineon-SPD08P06PG-DS-v01_92-en.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011f40433a224ec6 Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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auf Bestellung 958 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 755 Stücke:
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305+0.58 EUR
319+0.54 EUR
322+0.51 EUR
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365+0.42 EUR
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SPD08P06PGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 8.83A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
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322+0.54 EUR
500+0.48 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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250+0.76 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.65 EUR
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SPD08P06PGBTMA1
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MOSFETs P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
auf Bestellung 95937 Stücke:
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4+0.87 EUR
10+0.82 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.46 EUR
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SPD08P06PGBTMA1
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Description: MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.2V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 6.2V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.83A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7478 Stücke:
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13+1.68 EUR
16+1.36 EUR
100+0.94 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Description: INFINEON - SPD08P06PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6.2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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