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SPD09P06PLGBTMA1

SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 42W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.

Weitere Produktangebote SPD09P06PLGBTMA1 nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD09P06PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
65+1.33 EUR
73+1.17 EUR
107+0.8 EUR
112+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd09p06pldsv0206en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.92 EUR
134+1.27 EUR
193+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies infineonspd09p06pldsv0206en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.92 EUR
134+1.3 EUR
193+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 Infineon Technologies SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
147+1.58 EUR
222+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PLGBTMA1 INFINEON INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
147+1.58 EUR
222+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1 Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1 Infineon SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4 Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -9.7A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -9.7A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+1.57 EUR
65+1.33 EUR
73+1.17 EUR
107+0.8 EUR
112+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+1.92 EUR
134+1.27 EUR
193+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+1.92 EUR
134+1.3 EUR
193+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SPD09P06PLGBTMA1 INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+2.7 EUR
147+1.58 EUR
222+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 INFNS16615-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD09P06PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.7 A, 0.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
147+1.58 EUR
222+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
20+2.11 EUR
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SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL+Rev2.5.pdf?folderId=db3a30431ed1d7b2011f4042f2ff4ec5&fileId=db3a30431ed1d7b2011f40486c6a4ed4
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 400mOhm; 9,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; SPD09P06PLGBTMA1 SPD09P06PL G TSPD09p06pl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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