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SPD30N06S2L23 INFINEON


Hersteller: INFINEON

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Technische Details SPD30N06S2L23 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SPD30N06S2L-23 Hersteller : INFINEON SPD30N06S2L-23.pdf 07+ TO-252/D-PAK
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SPD30N06S2L-23 Hersteller : INFINEON SPD30N06S2L-23.pdf TO-252/D-PAK
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SPD30N06S2L-23 SPD30N06S2L-23 Hersteller : Infineon Technologies spd30n06s2l-23_1.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SPD30N06S2L-23 SPD30N06S2L-23 Hersteller : Infineon Technologies SPD30N06S2L-23.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
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