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SPD50P03LGBTMA1

SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
Produktcode: 126532
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.89 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.89 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Infineon Technologies spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.21 EUR
50+3.56 EUR
100+2.49 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
2500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.75 EUR
45+5.27 EUR
100+3.37 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
231+2.89 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
231+2.89 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 25 V
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.37 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 spd50p03lg_rev1.9.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66fileiddb3a3043156fd5730115c7.pdffolderiddb3a304314dca38901154a.pdf
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 50A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.21 EUR
50+3.56 EUR
100+2.49 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.95 EUR
2500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LG_Rev+1.8.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a3043156fd5730115c75829fc0ffa
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPD50P03LGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.75 EUR
45+5.27 EUR
100+3.37 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH