Technische Details SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 104W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm.
Weitere Produktangebote SPP08N80C3XKSA1 nach Preis ab 1.71 EUR bis 6.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 104W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm |
auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPP08N80C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 77+ | 2.26 EUR |
| 78+ | 2.15 EUR |
| SPP08N80C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.59 EUR |
| 50+ | 2.77 EUR |
| 100+ | 2.5 EUR |
| SPP08N80C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
auf Bestellung 833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.76 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| 2500+ | 1.86 EUR |
| 5000+ | 1.71 EUR |
| SPP08N80C3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 39+ | 6.43 EUR |
| 76+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.55 EUR |
| 500+ | 1.92 EUR |
| SPP08N80C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)