SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPP08N80C3XKSA1 nach Preis ab 1.37 EUR bis 4.28 EUR
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3 |
auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 800V; 8A; 104W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 104W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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