
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
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Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
auf Bestellung 1805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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5+ | 4.28 EUR |
50+ | 2.33 EUR |
100+ | 2.16 EUR |
500+ | 1.74 EUR |
1000+ | 1.59 EUR |
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Technische Details SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPP08N80C3XKSA1 nach Preis ab 1.52 EUR bis 4.35 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP08N80C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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