SPP08P06PHXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 125+ | 1.4 EUR |
| 143+ | 1.18 EUR |
| 181+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
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Technische Details SPP08P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SPP08P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
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SPP08P06PHXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 |
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SPP08P06PHXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP08P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 42 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| SPP08P06PHXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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| SPP08P06PHXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3
MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3
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| SPP08P06PHXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP08P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - SPP08P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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