SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm.
Weitere Produktangebote SPP11N60C3XKSA1 nach Preis ab 2.51 EUR bis 9.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3 |
auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP11N60C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP11N60C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Case: PG-TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Technology: CoolMOS™ |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SPP11N60C3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.22 EUR |
| 10+ | 4.08 EUR |
| 100+ | 4 EUR |
| 500+ | 3.42 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| SPP11N60C3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.02 EUR |
| 53+ | 4.39 EUR |
| 100+ | 3.51 EUR |
| SPP11N60C3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Technology: CoolMOS™
auf Bestellung 46 Stücke:
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