SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Weitere Produktangebote SPP15N60C3XKSA1 nach Preis ab 1.76 EUR bis 6.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 650V 15A TO220-3 |
auf Bestellung 337 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP15N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 15A; 156W; TO220-3; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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SPP15N60C3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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