SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 3.22 EUR |
| 50+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.4 EUR |
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Technische Details SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 81.1W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SPP18P06PHXKSA1 nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SPP18P06PHXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - SPP18P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 81.1W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SPP18P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SPP18P06PHXKSA1 | Hersteller : Infineon |
P-MOSFET 18.7A 60V 81.1W 0.13Ω SPP18P06P TSPP18p06p Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SPP18P06PHXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
SPP18P06PHXKSA1 THT P channel transistors |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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